AR-GE ve Teknolojik Üstünlük
TBOX junction box çözümlerini farklı kılan patentli teknolojilerimiz ve AR-GE çalışmalarımız.
Özgün Diyot Paketi (UKT)
Üç nesil diyot paketi evrimi ile geliştirilen UKT teknolojisi, junction sıcaklığını rakiplere kıyasla 30-50°C düşürür.
Birinci Nesil
R6 Aksiyel Diyot Paketi
İkinci Nesil
TO220 Yama Diyot Paketi
Üçüncü Nesil
UKT Diyot Paketi
Junction Sıcaklık Karşılaştırması
Aynı koşullar altında diyot paketi junction sıcaklıkları
Özgün Kaynak Bağlantısı
Orta frekans kaynak teknolojisi ile atomik temas sağlanır, konvansiyonel perçin/vida bağlantılarına göre üstün mekanik ve elektriksel performans elde edilir.
UKT Orta Frekans Kaynak
- Atomik temas — moleküler düzeyde birleşim
- Kısmi eriyik-bütünleşme bağlantısı
- İhmal edilebilir temas direnci
- 700N çekme kuvveti dayanımı
Konvansiyonel Perçin/Vida
- Boşluklu temas — ara yüzey gerilimi
- Gerilim deformasyonu sabitleme
- Yüksek temas direnci
- 400N çekme kuvveti dayanımı
Termal Kaçak (Thermal Runaway) Performansı
20A ileri akım ile 30 dakika sonrasında yapılan ters gerilim testinde UKT diyotlarının üstün toparlanma performansı.
20A ileri akım ile 30 dakika ısıtma sonrasında 30V ters gerilim uygulandığında, UKT diyotlarında kaçak akım 20mA'dan sadece 130 saniyede 2.2mA'ya düşerek üstün termal toparlanma performansı sergiler.